在芯片制造中，有一种非常重要的，且与光刻机配合的半导体材料，那就是光刻胶。

光刻胶要涂布在硅片表面的，光刻机进行刻录时，光刻胶就会发生光敏反应，将要加工的芯片图形转移至硅片表面。

光刻胶与光刻机一样，也是分工艺的，可以分为g线、i线、KrF、ArF、EUV，对应的就是各种光刻机，制造出来的芯片，也是不同的工艺精度。

如果大家对这些光刻胶对应什么工艺感兴趣，可以看下图。

目前全球的光刻胶，主要被日本企业垄断，日本企业拿下了70%以上的份额，而在高端的ArF、EUV光刻胶领域，日本企业市场占有率超过90%，特别是EUV光刻胶，几乎只有日本企业能够生产。

而中国的光刻胶自给率，大约在5-10%左右，90%要靠进口。

更重要的是，中国制造出来的光刻胶，还只达到KrF阶段，连ArF都还在测试中，从工艺来看，国产的ArF，应该还在对应着65-40nm的芯片工艺，至于EUV光刻胶就不要想了，还有很长的路要走。

但是近日，有一则好消息传出来，那就是国产EUV光刻胶有突破了。

清华大学的研究团队，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane,PTeO）的新型EUV光刻胶，该团队由化学系许华平教授团队带领。

这种聚碲氧烷的EUV光刻胶，比现有的EUV光刻机性能更好，在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面，更为出色。

目前，相关成果已经发表在《科学进展》（ScienceAdvances）期刊上了，同时该研究得到国家自然科学基金重点项目的资助支持。

当然，任何一项技术，从实验室走向规模量产，需要有一段不小的距离，目前这项技术，还没有到量产商用阶段。

但在实验室已经证明，这种新型的EUV光刻胶，比现有的更出色，那么接下来，这种技术，就有可能推动下一代EUV光刻材料的发展，从而助力光刻胶技术革新，而中国作为研究者，在这一领域，就会有自己的话语权了。

前面已经说到过，之前EUV光刻胶被日本企业垄断，而美国则提供一些原料，如今中国有突破了，估计他们要慌了吧。